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FQB6N80TM è obsoleto e non è più in produzione.
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FQB6N80TM | |
|---|---|
Codice DigiKey | FQB6N80TMTR-ND - Nastrato in bobina (TR) |
Produttore | |
Codice produttore | FQB6N80TM |
Descrizione | MOSFET N-CH 800V 5.8A D2PAK |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 800 V 5,8 A (Tc) 3,13W (Ta), 158W (Tc) A montaggio superficiale TO-263 (D2PAK) |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | FQB6N80TM Modelli |
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Categoria | Vgs(th) max a Id 5V a 250µA |
Produttore | Carica del gate (Qg) max a Vgs 31 nC @ 10 V |
Serie | Vgs (max) ±30V |
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 1500 pF @ 25 V |
Stato componente Obsoleto | Dissipazione di potenza (max) 3,13W (Ta), 158W (Tc) |
Tipo FET | Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tecnologia | Tipo di montaggio A montaggio superficiale |
Tensione drain/source (Vdss) 800 V | Contenitore del fornitore TO-263 (D2PAK) |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | Contenitore/involucro |
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V | Codice componente base |
RDSon (max) a Id, Vgs 1,95ohm a 2,9A, 10V |
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Sostituti (4)
| Codice componente | Produttore | Quantità disponibile | Codice DigiKey | Prezzo unitario | Tipo di articolo sostitutivo |
|---|---|---|---|---|---|
| FQB4N80TM | onsemi | 0 | FQB4N80TMCT-ND | € 1,76000 | Consigliato dal produttore |
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