Name: STB9NK80Z
Brand: STMicroelectronics
SKU: 497-13936-2-ND
Price: 2.8548 EUR
Availability: OutOfStock

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STB9NK80Z
Codice DigiKey	497-13936-2-ND - Nastrato in bobina (TR) 497-13936-1-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 497-13936-6-ND - Digi-Reel®
Produttore	STMicroelectronics
Codice produttore	STB9NK80Z
Descrizione	MOSFET N-CH 800V 5.2A D2PAK
Tempi di consegna standard del produttore	13 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 800 V 5,2 A (Tc) 125W (Tc) A montaggio superficiale D2PAK
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	STB9NK80Z Modelli

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Carica del gate (Qg) max a Vgs 40 nC @ 10 V
Produttore STMicroelectronics	Vgs (max) ±30V
Serie SuperMESH™	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 1138 pF @ 25 V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Dissipazione di potenza (max) 125W (Tc)
Stato componente Attivo	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo FET Canale N	Grado Automobilistico
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Qualifica AEC-Q101
Tensione drain/source (Vdss) 800 V	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 5,2 A (Tc)	Contenitore del fornitore D2PAK
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V	Contenitore/involucro TO-263-3, D2PAK (2 conduttori+linguetta), TO-263AB
RDSon (max) a Id, Vgs 1,8ohm a 2,6A, 10V	Codice componente base STB9
Vgs(th) max a Id 4,5V a 100µA

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IXFA7N80P	IXYS	0	IXFA7N80P-ND	€ 4,14000	Simile

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Nastrato in bobina (TR)

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Prezzo unitario IVA esclusa:	€ 2,34000
Prezzo unitario IVA inclusa:	€ 2,85480

STB9NK80Z