Name: FQB4N80TM
Brand: onsemi
SKU: FQB4N80TMTR-ND
Price: 2.1472 EUR
Availability: OutOfStock

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FQB4N80TM
Codice DigiKey	FQB4N80TMTR-ND - Nastrato in bobina (TR) FQB4N80TMCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) FQB4N80TMDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	onsemi
Codice produttore	FQB4N80TM
Descrizione	MOSFET N-CH 800V 3.9A D2PAK
Tempi di consegna standard del produttore	9 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 800 V 3,9 A (Tc) 3,13W (Ta), 130W (Tc) A montaggio superficiale TO-263 (D2PAK)
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 5V a 250µA
Produttore onsemi	Carica del gate (Qg) max a Vgs 25 nC @ 10 V
Serie QFET®	Vgs (max) ±30V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 880 pF @ 25 V
Stato componente Attivo	Dissipazione di potenza (max) 3,13W (Ta), 130W (Tc)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 800 V	Contenitore del fornitore TO-263 (D2PAK)
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 3,9 A (Tc)	Contenitore/involucro TO-263-3, D2PAK (2 conduttori+linguetta), TO-263AB
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V	Codice componente base FQB4N80
RDSon (max) a Id, Vgs 3,6ohm a 1,95A, 10V

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Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di € 5,50.

Nastrato in bobina (TR)

Contenitore standard del produttore

Prezzo unitario IVA esclusa:	€ 1,76000
Prezzo unitario IVA inclusa:	€ 2,14720

FQB4N80TM