Name: CSD19538Q2T
Brand: Texas Instruments
SKU: 296-44612-2-ND
Price: 1.3176 EUR
Availability: OutOfStock

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CSD19538Q2T
Codice DigiKey	296-44612-2-ND - Nastrato in bobina (TR) 296-44612-1-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 296-44612-6-ND - Digi-Reel®
Produttore	Texas Instruments
Codice produttore	CSD19538Q2T
Descrizione	MOSFET N-CH 100V 13.1A 6WSON
Tempi di consegna standard del produttore	12 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 100 V 13,1 A (Tc) 2,5W (Ta), 20,2W (Tc) A montaggio superficiale 6-WSON (2x2)
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	CSD19538Q2T Modelli

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 3,8V a 250µA
Produttore Texas Instruments	Carica del gate (Qg) max a Vgs 5.6 nC @ 10 V
Serie NexFET™	Vgs (max) ±20V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 454 pF @ 50 V
Stato componente Attivo	Dissipazione di potenza (max) 2,5W (Ta), 20,2W (Tc)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 100 V	Contenitore del fornitore 6-WSON (2x2)
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 13,1 A (Tc)	Contenitore/involucro 6-WDFN piazzola esposta
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 6V, 10V	Codice componente base CSD19538
RDSon (max) a Id, Vgs 59mohm a 5A, 10V

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Sostituti (2)

Codice componente	Produttore	Quantità disponibile	Codice DigiKey	Prezzo unitario	Tipo di articolo sostitutivo
CSD19538Q2	Texas Instruments	0	296-47322-1-ND	€ 0,64000	Equivalente parametrico
CSD19538Q2R	Texas Instruments	0	296-CSD19538Q2RTR-ND	€ 0,26640	Equivalente parametrico

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Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di € 5,50.

Nastrato in bobina (TR)

Contenitore standard del produttore

Prezzo unitario IVA esclusa:	€ 1,08000
Prezzo unitario IVA inclusa:	€ 1,31760

CSD19538Q2T