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CSD19538Q2R | |
|---|---|
Codice DigiKey | 296-CSD19538Q2RTR-ND - Nastrato in bobina (TR) |
Produttore | |
Codice produttore | CSD19538Q2R |
Descrizione | 100-V, N CHANNEL NEXFET POWER MO |
Tempi di consegna standard del produttore | 12 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 100 V 4,6A (Ta), 13,1A (Tc) 2,5W (Ta), 20,2W (Tc) A montaggio superficiale 6-WSON (2x2) |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
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Categoria | RDSon (max) a Id, Vgs 59mohm a 5A, 10V |
Produttore | Vgs(th) max a Id 3,8V a 250µA |
Serie | Carica del gate (Qg) max a Vgs 5.6 nC @ 10 V |
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) | Vgs (max) ±20V |
Stato componente Attivo | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 454 pF @ 50 V |
Tipo FET | Dissipazione di potenza (max) 2,5W (Ta), 20,2W (Tc) |
Tecnologia | Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tensione drain/source (Vdss) 100 V | Tipo di montaggio A montaggio superficiale |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | Contenitore del fornitore 6-WSON (2x2) |
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 6V, 10V | Contenitore/involucro |
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Sostituti (2)
| Codice componente | Produttore | Quantità disponibile | Codice DigiKey | Prezzo unitario | Tipo di articolo sostitutivo |
|---|---|---|---|---|---|
| CSD19538Q2 | Texas Instruments | 0 | 296-47322-1-ND | € 0,64000 | Equivalente parametrico |
| CSD19538Q2T | Texas Instruments | 0 | 296-44612-1-ND | € 1,08000 | Equivalente parametrico |
Disponibile su ordinazione
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Tutti i prezzi sono in EUR
Nastrato in bobina (TR)
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 10 000 | € 0,26640 | € 2 664,00 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | € 0,26640 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | € 0,32501 |
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