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CSD19533KCS | |
|---|---|
Codice DigiKey | 296-37482-5-ND |
Produttore | |
Codice produttore | CSD19533KCS |
Descrizione | MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3 |
Tempi di consegna standard del produttore | 12 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 100 V 100 A (Ta) 188W (Tc) Foro passante TO-220-3 |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | CSD19533KCS Modelli |
Attributi del prodotto
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Categoria | Vgs(th) max a Id 3,4V a 250µA |
Produttore | Carica del gate (Qg) max a Vgs 35 nC @ 10 V |
Serie | Vgs (max) ±20V |
Confezionamento Tubo | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 2670 pF @ 50 V |
Stato componente Attivo | Dissipazione di potenza (max) 188W (Tc) |
Tipo FET | Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tecnologia | Tipo di montaggio Foro passante |
Tensione drain/source (Vdss) 100 V | Contenitore del fornitore TO-220-3 |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | Contenitore/involucro |
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 6V, 10V | Codice componente base |
RDSon (max) a Id, Vgs 10,5mohm a 55A, 10V |
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Sostituti (13)
| Codice componente | Produttore | Quantità disponibile | Codice DigiKey | Prezzo unitario | Tipo di articolo sostitutivo |
|---|---|---|---|---|---|
| FDP085N10A-F102 | onsemi | 0 | FDP085N10A-F102-ND | € 2,72000 | Simile |
| FDP090N10 | onsemi | 0 | FDP090N10-ND | € 2,39000 | Simile |
| FDP100N10 | onsemi | 0 | FDP100N10-ND | € 3,77000 | Simile |
| IPP086N10N3GXKSA1 | Infineon Technologies | 0 | 448-IPP086N10N3GXKSA1-ND | € 2,04000 | Simile |
| IPP114N12N3GXKSA1 | Infineon Technologies | 0 | 448-IPP114N12N3GXKSA1-ND | € 2,32000 | Simile |
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Tubo
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | € 1,99000 | € 1,99 |
| 50 | € 0,97200 | € 48,60 |
| 100 | € 0,87250 | € 87,25 |
| 500 | € 0,69818 | € 349,09 |
| 1 000 | € 0,64212 | € 642,12 |
| 2 000 | € 0,59498 | € 1 189,96 |
| 5 000 | € 0,55712 | € 2 785,60 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | € 1,99000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | € 2,42780 |
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