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FDP100N10 è obsoleto e non è più in produzione.
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Questa immagine puo' variare dall'originale. Per i particolari consulti la scheda tecnica.
FDP100N10 | |
|---|---|
Codice DigiKey | FDP100N10-ND |
Produttore | |
Codice produttore | FDP100N10 |
Descrizione | MOSFET N-CH 100V 75A TO220-3 |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 100 V 75 A (Tc) 208W (Tc) Foro passante TO-220-3 |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | FDP100N10 Modelli |
Attributi del prodotto
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Categoria | Vgs(th) max a Id 4,5V a 250µA |
Produttore | Carica del gate (Qg) max a Vgs 100 nC @ 10 V |
Serie | Vgs (max) ±20V |
Confezionamento Tubo | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 7300 pF @ 25 V |
Stato componente Obsoleto | Dissipazione di potenza (max) 208W (Tc) |
Tipo FET | Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tecnologia | Tipo di montaggio Foro passante |
Tensione drain/source (Vdss) 100 V | Contenitore del fornitore TO-220-3 |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | Contenitore/involucro |
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V | Codice componente base |
RDSon (max) a Id, Vgs 10mohm a 75A, 10V |
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Sostituti (5)
| Codice componente | Produttore | Quantità disponibile | Codice DigiKey | Prezzo unitario | Tipo di articolo sostitutivo |
|---|---|---|---|---|---|
| CSD19533KCS | Texas Instruments | 0 | 296-37482-5-ND | € 1,99000 | Simile |
| IPP114N12N3GXKSA1 | Infineon Technologies | 0 | 448-IPP114N12N3GXKSA1-ND | € 2,32000 | Simile |
| IPP12CN10LGXKSA1 | Rochester Electronics, LLC | 83 240 | 2156-IPP12CN10LGXKSA1-ND | € 0,92861 | Simile |
| IXFP130N10T | IXYS | 0 | IXFP130N10T-ND | € 2,20690 | Simile |
| STP120NF10 | STMicroelectronics | 0 | 497-4118-5-ND | € 4,06000 | Simile |
Obsoleto
