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STW28N65M2 | |
|---|---|
Codice DigiKey | 497-15575-5-ND |
Produttore | |
Codice produttore | STW28N65M2 |
Descrizione | MOSFET N-CH 650V 20A TO247 |
Tempi di consegna standard del produttore | 18 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 650 V 20 A (Tc) 170W (Tc) Foro passante TO-247-3 |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | STW28N65M2 Modelli |
Attributi del prodotto
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Categoria | Vgs(th) max a Id 4V a 250µA |
Produttore | Carica del gate (Qg) max a Vgs 35 nC @ 10 V |
Serie | Vgs (max) ±25V |
Confezionamento Tubo | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 1440 pF @ 100 V |
Stato componente Attivo | Dissipazione di potenza (max) 170W (Tc) |
Tipo FET | Temperatura di funzionamento 150°C (TJ) |
Tecnologia | Tipo di montaggio Foro passante |
Tensione drain/source (Vdss) 650 V | Contenitore del fornitore TO-247-3 |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | Contenitore/involucro |
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V | Codice componente base |
RDSon (max) a Id, Vgs 180mohm a 10A, 10V |
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Sostituti (15)
| Codice componente | Produttore | Quantità disponibile | Codice DigiKey | Prezzo unitario | Tipo di articolo sostitutivo |
|---|---|---|---|---|---|
| APT34M60B | Microchip Technology | 0 | APT34M60B-ND | € 9,69020 | Simile |
| FCH170N60 | onsemi | 0 | FCH170N60-ND | € 5,57000 | Simile |
| FCH190N65F-F155 | onsemi | 0 | FCH190N65F-F155-ND | € 6,08000 | Simile |
| IPW60R190E6FKSA1 | Infineon Technologies | 0 | IPW60R190E6FKSA1-ND | € 3,79000 | Simile |
| IPW65R190C7XKSA1 | Infineon Technologies | 0 | IPW65R190C7XKSA1-ND | € 3,47000 | Simile |
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Tubo
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | € 4,12000 | € 4,12 |
| 30 | € 1,89433 | € 56,83 |
| 120 | € 1,79100 | € 214,92 |
| 510 | € 1,67588 | € 854,70 |
| 1 020 | € 1,62903 | € 1 661,61 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | € 4,12000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | € 5,02640 |
