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IXFH22N65X2 | |
|---|---|
Codice DigiKey | 238-IXFH22N65X2-ND |
Produttore | |
Codice produttore | IXFH22N65X2 |
Descrizione | MOSFET N-CH 650V 22A TO247 |
Tempi di consegna standard del produttore | 27 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 650 V 22 A (Tc) 390W (Tc) Foro passante TO-247 (IXTH) |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Categoria | Vgs(th) max a Id 5,5V a 1,5mA |
Produttore | Carica del gate (Qg) max a Vgs 38 nC @ 10 V |
Serie | Vgs (max) ±30V |
Confezionamento Tubo | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 2310 pF @ 25 V |
Stato componente Attivo | Dissipazione di potenza (max) 390W (Tc) |
Tipo FET | Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tecnologia | Tipo di montaggio Foro passante |
Tensione drain/source (Vdss) 650 V | Contenitore del fornitore TO-247 (IXTH) |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | Contenitore/involucro |
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V | Codice componente base |
RDSon (max) a Id, Vgs 160mohm a 11A, 10V |
| Codice componente | Produttore | Quantità disponibile | Codice DigiKey | Prezzo unitario | Tipo di articolo sostitutivo |
|---|---|---|---|---|---|
| IPW60R199CPFKSA1 | Infineon Technologies | 0 | IPW60R199CPFKSA1-ND | € 1,71050 | Simile |
| SCT3120ALGC11 | Rohm Semiconductor | 0 | SCT3120ALGC11-ND | € 8,21000 | Simile |
| SIHG21N60EF-GE3 | Vishay Siliconix | 0 | SIHG21N60EF-GE3-ND | € 4,52000 | Simile |
| SIHG21N65EF-GE3 | Vishay Siliconix | 0 | SIHG21N65EF-GE3-ND | € 2,09686 | Simile |
| SIHG22N60AE-GE3 | Vishay Siliconix | 0 | SIHG22N60AE-GE3-ND | € 4,17000 | Simile |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | € 5,82000 | € 5,82 |
| 30 | € 3,24633 | € 97,39 |
| 120 | € 3,03958 | € 364,75 |
| 510 | € 2,76518 | € 1 410,24 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | € 5,82000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | € 7,10040 |






