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Canale N 650 V 21 A (Tc) 103W (Tc) Foro passante TO-247N
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Canale N 650 V 21 A (Tc) 103W (Tc) Foro passante TO-247N
ROHM 4-pin SiC Power MOSFETs | Digi-Key Daily
ROHM's SiC Power and Gate Driver Solutions

SCT3120ALGC11

Codice DigiKey
SCT3120ALGC11-ND
Produttore
Codice produttore
SCT3120ALGC11
Descrizione
SICFET N-CH 650V 21A TO247N
Tempi di consegna standard del produttore
27 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 650 V 21 A (Tc) 103W (Tc) Foro passante TO-247N
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD
SCT3120ALGC11 Modelli
Attributi del prodotto
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Mostra attributi vuoti
Categoria
Vgs(th) max a Id
5,6V a 3,33mA
Produttore
Carica del gate (Qg) max a Vgs
38 nC @ 18 V
Confezionamento
Tubo
Vgs (max)
+22V, -4V
Stato componente
Attivo
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
460 pF @ 500 V
Tipo FET
Dissipazione di potenza (max)
103W (Tc)
Tecnologia
Temperatura di funzionamento
175°C (TJ)
Tensione drain/source (Vdss)
650 V
Tipo di montaggio
Foro passante
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
Contenitore del fornitore
TO-247N
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
18V
Contenitore/involucro
RDSon (max) a Id, Vgs
156mohm a 6.7A, 18V
Codice componente base
Classificazioni ambientali e di esportazione
Domande e risposte sui prodotti
Altre risorse
Sostituti (20)
Codice componenteProduttore Quantità disponibileCodice DigiKey Prezzo unitario Tipo di articolo sostitutivo
IXKH20N60C5IXYS0IXKH20N60C5-ND€ 0,00000Aggiornamento
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Tubo
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
1€ 8,21000€ 8,21
30€ 4,41100€ 132,33
120€ 4,21692€ 506,03
510€ 3,86222€ 1 969,73
Contenitore standard del produttore
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Prezzo unitario IVA esclusa:€ 8,21000
Prezzo unitario IVA inclusa:€ 10,01620