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Canale N 800 V 7 A (Tc) 110W (Tc) A montaggio superficiale DPAK
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STD9N80K5

Codice DigiKey
STD9N80K5-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore
Codice produttore
STD9N80K5
Descrizione
MOSFET N-CHANNEL 800V 7A DPAK
Tempi di consegna standard del produttore
14 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 800 V 7 A (Tc) 110W (Tc) A montaggio superficiale DPAK
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD
STD9N80K5 Modelli
Attributi del prodotto
Filtra prodotti simili
Mostra attributi vuoti
Categoria
Vgs(th) max a Id
5V a 100µA
Produttore
Carica del gate (Qg) max a Vgs
12 nC @ 10 V
Serie
Vgs (max)
±30V
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
340 pF @ 100 V
Stato componente
Attivo
Dissipazione di potenza (max)
110W (Tc)
Tipo FET
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnologia
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss)
800 V
Contenitore del fornitore
DPAK
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
Contenitore/involucro
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
10V
Codice componente base
RDSon (max) a Id, Vgs
900mohm a 3,5A, 10V
Classificazioni ambientali e di esportazione
Domande e risposte sui prodotti
Altre risorse
Sostituti (6)
Codice componenteProduttore Quantità disponibileCodice DigiKey Prezzo unitario Tipo di articolo sostitutivo
FCD4N60TMonsemi0FCD4N60TMCT-ND€ 1,98000Simile
IPD65R950CFDATMA1Infineon Technologies0IPD65R950CFDATMA1-ND€ 0,00000Simile
R6006ANDTLRohm Semiconductor0846-R6006ANDTLTR-ND€ 0,87786Simile
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SPD04N60C3ATMA1Infineon Technologies0SPD04N60C3ATMA1CT-ND€ 1,44000Simile
Disponibile su ordinazione
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Tutti i prezzi sono in EUR
Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
2 500€ 0,73067€ 1 826,68
5 000€ 0,72498€ 3 624,90
Contenitore standard del produttore
Prezzo unitario IVA esclusa:€ 0,73067
Prezzo unitario IVA inclusa:€ 0,89142