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Canale N 600 V 6 A (Tc) 40W (Tc) A montaggio superficiale CPT3
Questa immagine puo' variare dall'originale. Per i particolari consulti la scheda tecnica.

R6006ANDTL

Codice DigiKey
846-R6006ANDTLTR-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore
Codice produttore
R6006ANDTL
Descrizione
MOSFET N-CH 600V 6A CPT
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 600 V 6 A (Tc) 40W (Tc) A montaggio superficiale CPT3
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD
R6006ANDTL Modelli
Attributi del prodotto
Filtra prodotti simili
Mostra attributi vuoti
Categoria
Vgs(th) max a Id
4,5V a 1mA
Produttore
Carica del gate (Qg) max a Vgs
15 nC @ 10 V
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Vgs (max)
±30V
Stato componente
Data di acquisto finale
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
460 pF @ 25 V
Tipo FET
Dissipazione di potenza (max)
40W (Tc)
Tecnologia
Temperatura di funzionamento
150°C (TJ)
Tensione drain/source (Vdss)
600 V
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
Contenitore del fornitore
CPT3
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
10V
Contenitore/involucro
RDSon (max) a Id, Vgs
1,2ohm a 3A, 10V
Codice componente base
Classificazioni ambientali e di esportazione
Domande e risposte sui prodotti
Altre risorse
Sostituti (12)
Codice componenteProduttore Quantità disponibileCodice DigiKey Prezzo unitario Tipo di articolo sostitutivo
IPD60R950C6ATMA1Infineon Technologies0IPD60R950C6ATMA1CT-ND€ 1,28000Simile
STD7NM60NSTMicroelectronics0497-11042-1-ND€ 2,46000Simile
STD9N80K5STMicroelectronics0STD9N80K5-ND€ 0,73067Simile
TK5P60W,RVQToshiba Semiconductor and Storage0TK5P60WRVQCT-ND€ 2,19000Simile
IPD60R600P6ATMA1Infineon Technologies0IPD60R600P6ATMA1CT-ND€ 1,36000Simile
Data ultima possibilità d'acquisto
Data ultima possibilità d'acquisto: 31.03.2027
Tutti i prezzi sono in EUR
Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
2 500€ 0,87786€ 2 194,65
Contenitore standard del produttore
Prezzo unitario IVA esclusa:€ 0,87786
Prezzo unitario IVA inclusa:€ 1,07099