Name: FDD306P
Brand: onsemi
SKU: FDD306PTR-ND
Price: 1.1468 EUR
Availability: InStock

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FDD306P
Codice DigiKey	FDD306PTR-ND - Nastrato in bobina (TR) FDD306PCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) FDD306PDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	onsemi
Codice produttore	FDD306P
Descrizione	MOSFET P-CH 12V 6.7A TO252
Tempi di consegna standard del produttore	17 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale P 12 V 6,7 A (Ta) 52W (Ta) A montaggio superficiale TO-252AA
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	FDD306P Modelli

Attributi del prodotto

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 1,5V a 250µA
Produttore onsemi	Carica del gate (Qg) max a Vgs 21 nC @ 4.5 V
Serie PowerTrench®	Vgs (max) ±8V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 1290 pF @ 6 V
Stato componente Attivo	Dissipazione di potenza (max) 52W (Ta)
Tipo FET Canale P	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 12 V	Contenitore del fornitore TO-252AA
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 6,7 A (Ta)	Contenitore/involucro TO-252-3, DPAK (2 conduttori+linguetta), SC-63
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 1,8V, 4,5V	Codice componente base FDD306
RDSon (max) a Id, Vgs 28mohm a 6,7A, 4,5V