Name: FDC2612
Brand: onsemi
SKU: FDC2612TR-ND
Price: 0.9638 EUR
Availability: OutOfStock

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FDC2612
Codice DigiKey	FDC2612TR-ND - Nastrato in bobina (TR) FDC2612CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) FDC2612DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	onsemi
Codice produttore	FDC2612
Descrizione	MOSFET N-CH 200V 1.1A SUPERSOT6
Tempi di consegna standard del produttore	20 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 200 V 1,1 A (Ta) 1,6W (Ta) A montaggio superficiale SuperSOT™-6
Scheda tecnica	Scheda tecnica

Attributi del prodotto

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 4,5V a 250µA
Produttore onsemi	Carica del gate (Qg) max a Vgs 11 nC @ 10 V
Serie PowerTrench®	Vgs (max) ±20V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 234 pF @ 100 V
Stato componente Attivo	Dissipazione di potenza (max) 1,6W (Ta)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 200 V	Contenitore del fornitore SuperSOT™-6
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 1,1 A (Ta)	Contenitore/involucro SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V	Codice componente base FDC2612
RDSon (max) a Id, Vgs 725mohm a 1,1A, 10V