Name: IXTA52P10P-TRL
Brand: IXYS
SKU: 238-IXTA52P10P-TRLTR-ND
Price: 8.2716 EUR
Availability: OutOfStock

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IXTA52P10P-TRL
Codice DigiKey	238-IXTA52P10P-TRLTR-ND - Nastrato in bobina (TR) 238-IXTA52P10P-TRLCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 238-IXTA52P10P-TRLDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	IXYS
Codice produttore	IXTA52P10P-TRL
Descrizione	MOSFET P-CH 100V 52A TO263
Tempi di consegna standard del produttore	27 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale P 100 V 52 A (Tc) 300W (Tc) A montaggio superficiale TO-263 (D2PAK)
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 4V a 250µA
Produttore IXYS	Carica del gate (Qg) max a Vgs 60 nC @ 10 V
Serie PolarP™	Vgs (max) ±20V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 2845 pF @ 25 V
Stato componente Attivo	Dissipazione di potenza (max) 300W (Tc)
Tipo FET Canale P	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 100 V	Contenitore del fornitore TO-263 (D2PAK)
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 52 A (Tc)	Contenitore/involucro TO-263-3, D2PAK (2 conduttori+linguetta), TO-263AB
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V	Codice componente base IXTA52
RDSon (max) a Id, Vgs 50mohm a 26A, 10V