TK8P60W,RVQ è disponibile per l'acquisto ma non è generalmente a magazzino.
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Canale N 600 V 8 A (Ta) 80W (Tc) A montaggio superficiale DPAK
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TK8P60W,RVQ

Codice DigiKey
TK8P60WRVQTR-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore
Codice produttore
TK8P60W,RVQ
Descrizione
MOSFET N CH 600V 8A DPAK
Tempi di consegna standard del produttore
16 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 600 V 8 A (Ta) 80W (Tc) A montaggio superficiale DPAK
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD
TK8P60W,RVQ Modelli
Attributi del prodotto
Filtra prodotti simili
Mostra attributi vuoti
Categoria
Vgs(th) max a Id
3,7V a 400µA
Produttore
Carica del gate (Qg) max a Vgs
18.5 nC @ 10 V
Serie
Vgs (max)
±30V
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
570 pF @ 300 V
Stato componente
Attivo
Dissipazione di potenza (max)
80W (Tc)
Tipo FET
Temperatura di funzionamento
150°C (TJ)
Tecnologia
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss)
600 V
Contenitore del fornitore
DPAK
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
Contenitore/involucro
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
10V
Codice componente base
RDSon (max) a Id, Vgs
500mohm a 4A, 10V
Classificazioni ambientali e di esportazione
Domande e risposte sui prodotti
Altre risorse
Sostituti (7)
Codice componenteProduttore Quantità disponibileCodice DigiKey Prezzo unitario Tipo di articolo sostitutivo
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Tutti i prezzi sono in EUR
Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
2 000€ 1,05196€ 2 103,92
Contenitore standard del produttore
Prezzo unitario IVA esclusa:€ 1,05196
Prezzo unitario IVA inclusa:€ 1,28339