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TK8P60W,RVQ | |
|---|---|
Codice DigiKey | TK8P60WRVQTR-ND - Nastrato in bobina (TR) |
Produttore | |
Codice produttore | TK8P60W,RVQ |
Descrizione | MOSFET N CH 600V 8A DPAK |
Tempi di consegna standard del produttore | 16 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 600 V 8 A (Ta) 80W (Tc) A montaggio superficiale DPAK |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | TK8P60W,RVQ Modelli |
Categoria | Vgs(th) max a Id 3,7V a 400µA |
Produttore | Carica del gate (Qg) max a Vgs 18.5 nC @ 10 V |
Serie | Vgs (max) ±30V |
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 570 pF @ 300 V |
Stato componente Attivo | Dissipazione di potenza (max) 80W (Tc) |
Tipo FET | Temperatura di funzionamento 150°C (TJ) |
Tecnologia | Tipo di montaggio A montaggio superficiale |
Tensione drain/source (Vdss) 600 V | Contenitore del fornitore DPAK |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | Contenitore/involucro |
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V | Codice componente base |
RDSon (max) a Id, Vgs 500mohm a 4A, 10V |
| Codice componente | Produttore | Quantità disponibile | Codice DigiKey | Prezzo unitario | Tipo di articolo sostitutivo |
|---|---|---|---|---|---|
| IPD60R460CEAUMA1 | Infineon Technologies | 0 | 448-IPD60R460CEAUMA1TR-ND | € 0,37076 | Simile |
| IPD60R600C6BTMA1 | Infineon Technologies | 0 | IPD60R600C6BTMA1TR-ND | € 0,00000 | Simile |
| IXTY8N65X2 | IXYS | 0 | IXTY8N65X2-ND | € 3,35000 | Simile |
| IXTY8N70X2 | IXYS | 0 | IXTY8N70X2-ND | € 3,23000 | Simile |
| SIHD7N60E-E3 | Vishay Siliconix | 0 | SIHD7N60E-E3-ND | € 0,68372 | Simile |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 2 000 | € 1,05196 | € 2 103,92 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | € 1,05196 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | € 1,28339 |







