Name: TK7R7P10PL,RQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TK7R7P10PLRQTR-ND
Price: 1.9642 EUR
Availability: OutOfStock

Canale N 100 V 55 A (Tc) 93W (Tc) A montaggio superficiale DPAK

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TK7R7P10PL,RQ
Codice DigiKey	264-TK7R7P10PLRQTR-ND - Nastrato in bobina (TR) 264-TK7R7P10PLRQCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 264-TK7R7P10PLRQDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Toshiba Semiconductor and Storage
Codice produttore	TK7R7P10PL,RQ
Descrizione	X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Tempi di consegna standard del produttore	16 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 100 V 55 A (Tc) 93W (Tc) A montaggio superficiale DPAK
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	TK7R7P10PL,RQ Modelli

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 2,5V a 500µA
Produttore Toshiba Semiconductor and Storage	Carica del gate (Qg) max a Vgs 44 nC @ 10 V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Vgs (max) ±20V
Stato componente Attivo	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 2800 pF @ 50 V
Tipo FET Canale N	Dissipazione di potenza (max) 93W (Tc)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Temperatura di funzionamento 175°C
Tensione drain/source (Vdss) 100 V	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 55 A (Tc)	Contenitore del fornitore DPAK
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 4,5V, 10V	Contenitore/involucro TO-252-3, DPAK (2 conduttori+linguetta), SC-63
RDSon (max) a Id, Vgs 7,7mohm a 27,5A, 10V	Codice componente base TK7R7P10