Name: CSD19533Q5AT
Brand: Texas Instruments
SKU: 296-44472-2-ND
Price: 3.0988 EUR
Availability: OutOfStock

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CSD19533Q5AT
Codice DigiKey	296-44472-2-ND - Nastrato in bobina (TR) 296-44472-1-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 296-44472-6-ND - Digi-Reel®
Produttore	Texas Instruments
Codice produttore	CSD19533Q5AT
Descrizione	MOSFET N-CH 100V 100A 8VSON
Tempi di consegna standard del produttore	6 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 100 V 100 A (Ta) 3,2W (Ta), 96W (Tc) A montaggio superficiale 8-VSONP (5x6)
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	CSD19533Q5AT Modelli

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 3,4V a 250µA
Produttore Texas Instruments	Carica del gate (Qg) max a Vgs 35 nC @ 10 V
Serie NexFET™	Vgs (max) ±20V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 2670 pF @ 50 V
Stato componente Attivo	Dissipazione di potenza (max) 3,2W (Ta), 96W (Tc)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 100 V	Contenitore del fornitore 8-VSONP (5x6)
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 100 A (Ta)	Contenitore/involucro 8-PowerTDFN
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 6V, 10V	Codice componente base CSD19533
RDSon (max) a Id, Vgs 9,4mohm a 13A, 10V

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Codice componente	Produttore	Quantità disponibile	Codice DigiKey	Prezzo unitario	Tipo di articolo sostitutivo
CSD19533Q5A	Texas Instruments	0	296-37479-1-ND	€ 1,89000	Equivalente parametrico
BSC079N10NSGATMA1	Infineon Technologies	0	BSC079N10NSGATMA1CT-ND	€ 0,00000	Simile

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Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di € 5,50.

Nastrato in bobina (TR)

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Prezzo unitario IVA esclusa:	€ 2,54000
Prezzo unitario IVA inclusa:	€ 3,09880

CSD19533Q5AT