Name: CSD16570Q5BT
Brand: Texas Instruments
SKU: 296-38335-2-ND
Price: 3.8186 EUR
Availability: InStock

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CSD16570Q5BT
Codice DigiKey	296-38335-2-ND - Nastrato in bobina (TR) 296-38335-1-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 296-38335-6-ND - Digi-Reel®
Produttore	Texas Instruments
Codice produttore	CSD16570Q5BT
Descrizione	MOSFET N-CH 25V 100A 8VSON
Tempi di consegna standard del produttore	6 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 25 V 100 A (Ta) 3,2W (Ta), 195W (Tc) A montaggio superficiale 8-VSONP (5x6)
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	CSD16570Q5BT Modelli

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 1,9V a 250µA
Produttore Texas Instruments	Carica del gate (Qg) max a Vgs 250 nC @ 10 V
Serie NexFET™	Vgs (max) ±20V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 14000 pF @ 12 V
Stato componente Attivo	Dissipazione di potenza (max) 3,2W (Ta), 195W (Tc)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 25 V	Contenitore del fornitore 8-VSONP (5x6)
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 100 A (Ta)	Contenitore/involucro 8-PowerTDFN
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 4,5V, 10V	Codice componente base CSD16570
RDSon (max) a Id, Vgs 0,59mohm a 50A, 10V

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In magazzino: 45

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Quantità

Tutti i prezzi sono in EUR

Nastrato in bobina (TR)

Quantità	Prezzo unitario	Prezzo tot
250	€ 1,05052	€ 262,63
500	€ 1,03204	€ 516,02

Contenitore standard del produttore

Nastro pre-tagliato (CT)

Digi-Reel®

* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di € 5,50.

Prezzo unitario IVA esclusa:	€ 3,13000
Prezzo unitario IVA inclusa:	€ 3,81860

CSD16570Q5BT