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STP11NM60 | |
|---|---|
Codice DigiKey | 497-2773-5-ND |
Produttore | |
Codice produttore | STP11NM60 |
Descrizione | MOSFET N-CH 650V 11A TO220AB |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 650 V 11 A (Tc) 160W (Tc) Foro passante TO-220 |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | STP11NM60 Modelli |
Attributi del prodotto
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Categoria | Vgs(th) max a Id 5V a 250µA |
Produttore | Carica del gate (Qg) max a Vgs 30 nC @ 10 V |
Serie | Vgs (max) ±25V |
Confezionamento Tubo | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 1000 pF @ 25 V |
Stato componente Non per nuovi progetti | Dissipazione di potenza (max) 160W (Tc) |
Tipo FET | Temperatura di funzionamento -65°C ~ 150°C (TJ) |
Tecnologia | Tipo di montaggio Foro passante |
Tensione drain/source (Vdss) 650 V | Contenitore del fornitore TO-220 |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | Contenitore/involucro |
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V | Codice componente base |
RDSon (max) a Id, Vgs 450mohm a 5,5A, 10V |
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Sostituti (7)
| Codice componente | Produttore | Quantità disponibile | Codice DigiKey | Prezzo unitario | Tipo di articolo sostitutivo |
|---|---|---|---|---|---|
| FCP11N60F | onsemi | 0 | FCP11N60FFS-ND | € 3,59000 | Simile |
| IXTP14N60P | IXYS | 0 | IXTP14N60P-ND | € 4,10000 | Simile |
| IXTP14N60PM | IXYS | 0 | IXTP14N60PM-ND | € 2,11437 | Simile |
| RJK6014DPP-A0#T2 | Renesas Electronics Corporation | 0 | 559-RJK6014DPP-A0#T2-ND | € 4,39000 | Simile |
| SIHP11N80E-GE3 | Vishay Siliconix | 0 | SIHP11N80E-GE3-ND | € 3,45000 | Simile |
In magazzino: 0
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Quantità
Tutti i prezzi sono in EUR
Tubo
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | € 3,81000 | € 3,81 |
| 50 | € 2,16140 | € 108,07 |
| 100 | € 2,06370 | € 206,37 |
| 500 | € 1,71090 | € 855,45 |
| 1 000 | € 1,60883 | € 1 608,83 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | € 3,81000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | € 4,64820 |
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