Name: STN1HNK60
Brand: STMicroelectronics
SKU: 497-4668-2-ND
Price: 1.6836 EUR
Availability: InStock

Questa immagine puo' variare dall'originale. Per i particolari consulti la scheda tecnica.

STN1HNK60
Codice DigiKey	497-4668-2-ND - Nastrato in bobina (TR) 497-4668-1-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 497-4668-6-ND - Digi-Reel®
Produttore	STMicroelectronics
Codice produttore	STN1HNK60
Descrizione	MOSFET N-CH 600V 400MA SOT223
Tempi di consegna standard del produttore	13 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 600 V 400mA (Tc) 3,3W (Tc) A montaggio superficiale SOT-223
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	STN1HNK60 Modelli

Attributi del prodotto

Filtra prodotti simili

Mostra attributi vuoti

Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 3,7V a 250µA
Produttore STMicroelectronics	Carica del gate (Qg) max a Vgs 10 nC @ 10 V
Serie SuperMESH™	Vgs (max) ±30V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 156 pF @ 25 V
Stato componente Attivo	Dissipazione di potenza (max) 3,3W (Tc)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 600 V	Contenitore del fornitore SOT-223
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 400mA (Tc)	Contenitore/involucro TO-261-4, TO-261AA
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V	Codice componente base STN1HNK60
RDSon (max) a Id, Vgs 8,5ohm a 500mA, 10V