Name: STGB30H65DFB2
Brand: STMicroelectronics
SKU: 497-STGB30H65DFB2TR-ND
Price: 2.867 EUR
Availability: OutOfStock

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STGB30H65DFB2
Codice DigiKey	497-STGB30H65DFB2TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 497-STGB30H65DFB2CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 497-STGB30H65DFB2DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	STMicroelectronics
Codice produttore	STGB30H65DFB2
Descrizione	IGBT TRENCH FS 650V 50A D2PAK-3
Tempi di consegna standard del produttore	15 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	IGBT Trench Field Stop 650 V 50 A 167 W A montaggio superficiale D2PAK-3
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	STGB30H65DFB2 Modelli

Attributi del prodotto

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor IGBT IGBT singoli	Energia di commutazione 270µJ (on), 310µJ (off)
Produttore STMicroelectronics	Tipo di ingresso Standard
Serie HB2	Carica del gate 90 nC
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Td (on/off) a 25°C 18,4ns/71ns
Stato componente Attivo	Condizione di test 400V, 30A, 6,8ohm, 15V
Tipo di IGBT Trench Field Stop	Tempo di recupero inverso (Trr) 115 ns
Tensione - Rottura collettore-emettitore (max) 650 V	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ)
Corrente - Collettore (Ic) max 50 A	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Pulsata collettore (Icm) 90 A	Contenitore/involucro TO-263-4, D2PAK (3 conduttori+linguetta), TO-263AA
Vce(on) max a Vge, Ic 2,1V a 15V, 30A	Contenitore del fornitore D2PAK-3
Potenza - Max 167 W	Codice componente base STGB30