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Canale N 100 V 32 A (Tc) 50W (Tc) A montaggio superficiale DPAK
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STD30N10F7

Codice DigiKey
497-14531-2-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore
Codice produttore
STD30N10F7
Descrizione
MOSFET N-CH 100V 32A DPAK
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 100 V 32 A (Tc) 50W (Tc) A montaggio superficiale DPAK
Modelli EDA/CAD
STD30N10F7 Modelli
Attributi del prodotto
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Mostra attributi vuoti
Categoria
Vgs(th) max a Id
4,5V a 250µA
Produttore
Carica del gate (Qg) max a Vgs
19 nC @ 10 V
Serie
Vgs (max)
±20V
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
1270 pF @ 50 V
Stato componente
Obsoleto
Dissipazione di potenza (max)
50W (Tc)
Tipo FET
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tecnologia
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss)
100 V
Contenitore del fornitore
DPAK
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
Contenitore/involucro
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
10V
Codice componente base
RDSon (max) a Id, Vgs
24mohm a 16A, 10V
Classificazioni ambientali e di esportazione
Domande e risposte sui prodotti
Altre risorse
Sostituti (9)
Codice componenteProduttore Quantità disponibileCodice DigiKey Prezzo unitario Tipo di articolo sostitutivo
STD45N10F7STMicroelectronics0497-14532-1-ND€ 1,39000Consigliato dal produttore
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