Name: STD120N4LF6
Brand: STMicroelectronics
SKU: 497-11097-2-ND
Price: 2.806 EUR
Availability: InStock

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STD120N4LF6
Codice DigiKey	497-11097-2-ND - Nastrato in bobina (TR) 497-11097-1-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 497-11097-6-ND - Digi-Reel®
Produttore	STMicroelectronics
Codice produttore	STD120N4LF6
Descrizione	MOSFET N-CH 40V 80A DPAK
Tempi di consegna standard del produttore	18 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 40 V 80 A (Tc) 110W (Tc) A montaggio superficiale DPAK
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	STD120N4LF6 Modelli

Attributi del prodotto

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Carica del gate (Qg) max a Vgs 80 nC @ 10 V
Produttore STMicroelectronics	Vgs (max) ±20V
Serie DeepGATE™, STripFET™ VI	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 4300 pF @ 25 V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Dissipazione di potenza (max) 110W (Tc)
Stato componente Attivo	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo FET Canale N	Grado Automobilistico
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Qualifica AEC-Q101
Tensione drain/source (Vdss) 40 V	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 80 A (Tc)	Contenitore del fornitore DPAK
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 5V, 10V	Contenitore/involucro TO-252-3, DPAK (2 conduttori+linguetta), SC-63
RDSon (max) a Id, Vgs 4mohm a 40A, 10V	Codice componente base STD120
Vgs(th) max a Id 3V a 250µA