Name: STD10NM60N
Brand: STMicroelectronics
SKU: 497-10021-2-ND
Price: 1.5616 EUR
Availability: InStock

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STD10NM60N
Codice DigiKey	497-10021-2-ND - Nastrato in bobina (TR) 497-10021-1-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 497-10021-6-ND - Digi-Reel®
Produttore	STMicroelectronics
Codice produttore	STD10NM60N
Descrizione	MOSFET N-CH 600V 10A DPAK
Tempi di consegna standard del produttore	14 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 600 V 10 A (Tc) 70W (Tc) A montaggio superficiale DPAK
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	STD10NM60N Modelli

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 4V a 250µA
Produttore STMicroelectronics	Carica del gate (Qg) max a Vgs 19 nC @ 10 V
Serie MDmesh™ II	Vgs (max) ±25V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 540 pF @ 50 V
Stato componente Attivo	Dissipazione di potenza (max) 70W (Tc)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 600 V	Contenitore del fornitore DPAK
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 10 A (Tc)	Contenitore/involucro TO-252-3, DPAK (2 conduttori+linguetta), SC-63
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V	Codice componente base STD10
RDSon (max) a Id, Vgs 550mohm a 4A, 10V