Simile

STD105N10F7AG | |
|---|---|
Codice DigiKey | 497-15305-2-ND - Nastrato in bobina (TR) 497-15305-1-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 497-15305-6-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | STD105N10F7AG |
Descrizione | MOSFET N-CH 100V 80A DPAK |
Tempi di consegna standard del produttore | 20 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 100 V 80 A (Tc) 120W (Tc) A montaggio superficiale DPAK |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Categoria | Carica del gate (Qg) max a Vgs 61 nC @ 10 V |
Produttore | Vgs (max) ±20V |
Serie | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 4369 pF @ 50 V |
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | Dissipazione di potenza (max) 120W (Tc) |
Stato componente Attivo | Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo FET | Grado Automobilistico |
Tecnologia | Qualifica AEC-Q101 |
Tensione drain/source (Vdss) 100 V | Tipo di montaggio A montaggio superficiale |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | Contenitore del fornitore DPAK |
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V | Contenitore/involucro |
RDSon (max) a Id, Vgs 8mohm a 40A, 10V | Codice componente base |
Vgs(th) max a Id 4,5V a 250µA |
| Codice componente | Produttore | Quantità disponibile | Codice DigiKey | Prezzo unitario | Tipo di articolo sostitutivo |
|---|---|---|---|---|---|
| RBA80N10EANS-4UA07#HB0 | Renesas Electronics Corporation | 0 | 559-RBA80N10EANS-4UA07#HB0TR-ND | € 0,44624 | Simile |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | € 1,58000 | € 1,58 |
| 10 | € 1,42900 | € 14,29 |
| 100 | € 1,08370 | € 108,37 |
| 500 | € 0,88024 | € 440,12 |
| 1 000 | € 0,76679 | € 766,79 |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 2 500 | € 0,75617 | € 1 890,42 |
| 5 000 | € 0,70405 | € 3 520,25 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | € 1,58000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | € 1,92760 |



