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Canale P 30 V 9 A (Ta) 2W (Ta) A montaggio superficiale 8-SOP
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RSS090P03TB

Codice DigiKey
RSS090P03TBTR-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore
Codice produttore
RSS090P03TB
Descrizione
MOSFET P-CH 30V 9A 8SOP
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale P 30 V 9 A (Ta) 2W (Ta) A montaggio superficiale 8-SOP
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Attributi del prodotto
Filtra prodotti simili
Mostra attributi vuoti
Categoria
Vgs(th) max a Id
2,5V a 1mA
Produttore
Carica del gate (Qg) max a Vgs
39 nC @ 5 V
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Vgs (max)
±20V
Stato componente
Attivo
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
4000 pF @ 10 V
Tipo FET
Dissipazione di potenza (max)
2W (Ta)
Tecnologia
Temperatura di funzionamento
150°C (TJ)
Tensione drain/source (Vdss)
30 V
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
Contenitore del fornitore
8-SOP
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
4V, 10V
Contenitore/involucro
RDSon (max) a Id, Vgs
14mohm a 9A, 10V
Codice componente base
Classificazioni ambientali e di esportazione
Domande e risposte sui prodotti
Altre risorse
Sostituti (6)
Codice componenteProduttore Quantità disponibileCodice DigiKey Prezzo unitario Tipo di articolo sostitutivo
RRH090P03TB1Rohm Semiconductor0846-RRH090P03TB1CT-ND€ 1,43000Simile
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