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RSD201N10TL | |
|---|---|
Codice DigiKey | RSD201N10TLTR-ND - Nastrato in bobina (TR) RSD201N10TLCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) RSD201N10TLDKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | RSD201N10TL |
Descrizione | MOSFET N-CH 100V 20A CPT3 |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 100 V 20 A (Tc) 850mW (Ta), 20W (Tc) A montaggio superficiale CPT3 |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | RSD201N10TL Modelli |
Categoria | Vgs(th) max a Id 2,5V a 1mA |
Produttore | Carica del gate (Qg) max a Vgs 55 nC @ 10 V |
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | Vgs (max) ±20V |
Stato componente Data di acquisto finale | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 2100 pF @ 25 V |
Tipo FET | Dissipazione di potenza (max) 850mW (Ta), 20W (Tc) |
Tecnologia | Temperatura di funzionamento 150°C (TJ) |
Tensione drain/source (Vdss) 100 V | Tipo di montaggio A montaggio superficiale |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | Contenitore del fornitore CPT3 |
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 4V, 10V | Contenitore/involucro |
RDSon (max) a Id, Vgs 46mohm a 20A, 10V | Codice componente base |
| Codice componente | Produttore | Quantità disponibile | Codice DigiKey | Prezzo unitario | Tipo di articolo sostitutivo |
|---|---|---|---|---|---|
| RD3P200SNTL1 | Rohm Semiconductor | 0 | RD3P200SNTL1CT-ND | € 1,81000 | Consigliato dal produttore |
| IRFR3410TRLPBF | Infineon Technologies | 0 | IRFR3410TRLPBFCT-ND | € 1,34000 | Simile |
| PJD25N10A_L2_00001 | Panjit International Inc. | 0 | 3757-PJD25N10A_L2_00001CT-ND | € 0,90000 | Simile |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | € 1,51000 | € 1,51 |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 2 500 | € 0,41854 | € 1 046,35 |
| 5 000 | € 0,38947 | € 1 947,35 |
| 7 500 | € 0,37985 | € 2 848,88 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | € 1,51000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | € 1,84220 |




