Name: RQ3L070ATTB
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: 846-RQ3L070ATTBTR-ND
Price: 2.074 EUR
Availability: OutOfStock

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RQ3L070ATTB
Codice DigiKey	846-RQ3L070ATTBTR-ND - Nastrato in bobina (TR) 846-RQ3L070ATTBCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 846-RQ3L070ATTBDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Rohm Semiconductor
Codice produttore	RQ3L070ATTB
Descrizione	PCH -60V -25A, HSMT8, POWER MOSF
Tempi di consegna standard del produttore	16 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale P 60 V 25 A (Tc) 2W (Ta) A montaggio superficiale 8-HSMT (3,2x3)
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	RQ3L070ATTB Modelli

Attributi del prodotto

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 2,5V a 1mA
Produttore Rohm Semiconductor	Carica del gate (Qg) max a Vgs 48 nC @ 10 V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Vgs (max) ±20V
Stato componente Attivo	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 2850 pF @ 30 V
Tipo FET Canale P	Dissipazione di potenza (max) 2W (Ta)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Temperatura di funzionamento 150°C (TJ)
Tensione drain/source (Vdss) 60 V	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 25 A (Tc)	Contenitore del fornitore 8-HSMT (3,2x3)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 4,5V, 10V	Contenitore/involucro 8-PowerVDFN
RDSon (max) a Id, Vgs 28mohm a 7A, 10V	Codice componente base RQ3L070