Name: RF4P060BGTCR
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: 846-RF4P060BGTCRTR-ND
Price: 1.1346 EUR
Availability: OutOfStock

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RF4P060BGTCR
Codice DigiKey	846-RF4P060BGTCRTR-ND - Nastrato in bobina (TR) 846-RF4P060BGTCRCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 846-RF4P060BGTCRDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Rohm Semiconductor
Codice produttore	RF4P060BGTCR
Descrizione	NCH 100V 6A, HUML2020L8, POWER M
Tempi di consegna standard del produttore	16 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 100 V 6 A (Ta) 2W (Ta) A montaggio superficiale DFN2020-8S
Scheda tecnica	Scheda tecnica

Attributi del prodotto

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 2,5V a 1mA
Produttore Rohm Semiconductor	Carica del gate (Qg) max a Vgs 6.7 nC @ 10 V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Vgs (max) ±20V
Stato componente Attivo	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 305 pF @ 50 V
Tipo FET Canale N	Dissipazione di potenza (max) 2W (Ta)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Temperatura di funzionamento 150°C (TJ)
Tensione drain/source (Vdss) 100 V	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 6 A (Ta)	Contenitore del fornitore DFN2020-8S
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 4,5V, 10V	Contenitore/involucro 8-PowerUDFN
RDSon (max) a Id, Vgs 53mohm a 6A, 10V	Codice componente base RF4P060