Name: RF4E100AJTCR
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: RF4E100AJTCRTR-ND
Price: 1.1102 EUR
Availability: OutOfStock

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RF4E100AJTCR
Codice DigiKey	RF4E100AJTCRTR-ND - Nastrato in bobina (TR) RF4E100AJTCRCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) RF4E100AJTCRDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Rohm Semiconductor
Codice produttore	RF4E100AJTCR
Descrizione	MOSFET N-CH 30V 10A HUML2020L8
Tempi di consegna standard del produttore	16 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 30 V 10 A (Ta) 2W (Tc) A montaggio superficiale HUML2020L8
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	RF4E100AJTCR Modelli

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 1,5V a 1mA
Produttore Rohm Semiconductor	Carica del gate (Qg) max a Vgs 13 nC @ 4.5 V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Vgs (max) ±12V
Stato componente Attivo	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 1460 pF @ 15 V
Tipo FET Canale N	Dissipazione di potenza (max) 2W (Tc)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tensione drain/source (Vdss) 30 V	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 10 A (Ta)	Contenitore del fornitore HUML2020L8
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 4,5V	Contenitore/involucro 8-PowerUDFN
RDSon (max) a Id, Vgs 12,4mohm a 10A, 4,5V	Codice componente base RF4E100