RAQ045P01TCR Rohm Semiconductor | FET, MOSFET singoli

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RAQ045P01TCR
Codice DigiKey	846-RAQ045P01TCRTR-ND - Nastrato in bobina (TR) 846-RAQ045P01TCRCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 846-RAQ045P01TCRDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Rohm Semiconductor
Codice produttore	RAQ045P01TCR
Descrizione	MOSFET P-CH 12V 4.5A TSMT6
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale P 12 V 4,5 A (Ta) 600mW (Ta) A montaggio superficiale Rechteckig 0,950" x 2,690" (24,13mm x 68,33mm)
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 1V a 1mA
Produttore Rohm Semiconductor	Carica del gate (Qg) max a Vgs 40 nC @ 4.5 V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Vgs (max) -8V
Stato componente Obsoleto	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 4200 pF @ 6 V
Tipo FET Canale P	Dissipazione di potenza (max) 600mW (Ta)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Temperatura di funzionamento 150°C (TJ)
Tensione drain/source (Vdss) 12 V	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 4,5 A (Ta)	Contenitore del fornitore Rechteckig 0,950" x 2,690" (24,13mm x 68,33mm)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 1,5V, 4,5V	Contenitore/involucro SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
RDSon (max) a Id, Vgs 30mohm a 4,5A, 4,5V	Codice componente base RAQ045

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