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Canale N 800 V 10 A (Tc) 40W (Tc) Foro passante TO-220FM
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R8010ANX

Codice DigiKey
R8010ANX-ND
Produttore
Codice produttore
R8010ANX
Descrizione
MOSFET N-CH 800V 10A TO220FM
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 800 V 10 A (Tc) 40W (Tc) Foro passante TO-220FM
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD
R8010ANX Modelli
Attributi del prodotto
Filtra prodotti simili
Mostra attributi vuoti
Categoria
Vgs(th) max a Id
5V a 1mA
Produttore
Carica del gate (Qg) max a Vgs
62 nC @ 10 V
Confezionamento
Sfuso
Vgs (max)
±30V
Stato componente
Non per nuovi progetti
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
1750 pF @ 25 V
Tipo FET
Dissipazione di potenza (max)
40W (Tc)
Tecnologia
Temperatura di funzionamento
150°C (TJ)
Tensione drain/source (Vdss)
800 V
Tipo di montaggio
Foro passante
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
Contenitore del fornitore
TO-220FM
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
10V
Contenitore/involucro
RDSon (max) a Id, Vgs
560mohm a 5A, 10V
Codice componente base
Classificazioni ambientali e di esportazione
Domande e risposte sui prodotti
Altre risorse
Sostituti (6)
Codice componenteProduttore Quantità disponibileCodice DigiKey Prezzo unitario Tipo di articolo sostitutivo
R8009KNXC7GRohm Semiconductor0846-R8009KNXC7GCT-ND€ 4,29000Simile
STF10NM60NDSTMicroelectronics378497-12246-ND€ 2,22000Simile
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TK7A60W,S4VXToshiba Semiconductor and Storage0TK7A60WS4VX-ND€ 2,03000Simile
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Sfuso
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
500€ 1,50292€ 751,46
Contenitore standard del produttore
Prezzo unitario IVA esclusa:€ 1,50292
Prezzo unitario IVA inclusa:€ 1,83356