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Scheda tecnica
Canale N 600 V 15 A (Tc) 255W (Tc) A montaggio superficiale LPTS
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R6015FNJTL

Codice DigiKey
846-R6015FNJTLTR-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore
Codice produttore
R6015FNJTL
Descrizione
MOSFET N-CH 600V 15A LPT
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 600 V 15 A (Tc) 255W (Tc) A montaggio superficiale LPTS
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD
R6015FNJTL Modelli
Attributi del prodotto
Filtra prodotti simili
Mostra attributi vuoti
Categoria
Vgs(th) max a Id
5V a 1mA
Produttore
Carica del gate (Qg) max a Vgs
42 nC @ 10 V
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Vgs (max)
±30V
Stato componente
Non per nuovi progetti
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
1660 pF @ 25 V
Tipo FET
Dissipazione di potenza (max)
255W (Tc)
Tecnologia
Temperatura di funzionamento
150°C (TJ)
Tensione drain/source (Vdss)
600 V
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
Contenitore del fornitore
LPTS
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
10V
Contenitore/involucro
RDSon (max) a Id, Vgs
350mohm a 7,5A, 10V
Codice componente base
Classificazioni ambientali e di esportazione
Domande e risposte sui prodotti
Altre risorse
Sostituti (4)
Codice componenteProduttore Quantità disponibileCodice DigiKey Prezzo unitario Tipo di articolo sostitutivo
R6018JNJGTLRohm Semiconductor82R6018JNJGTLCT-ND€ 4,36000Simile
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Tutti i prezzi sono in EUR
Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
1 000€ 1,50687€ 1 506,87
2 000€ 1,50461€ 3 009,22
Contenitore standard del produttore
Prezzo unitario IVA esclusa:€ 1,50687
Prezzo unitario IVA inclusa:€ 1,83838