R6008FNX è disponibile per l'acquisto ma non è generalmente a magazzino.
Sostituti disponibili:

Simile


Rohm Semiconductor
In magazzino: 0
Prezzo unitario : € 1,38000
Scheda tecnica

Simile


STMicroelectronics
In magazzino: 0
Prezzo unitario : € 2,07000
Scheda tecnica

Simile


STMicroelectronics
In magazzino: 62
Prezzo unitario : € 2,03000
Scheda tecnica

Simile


Toshiba Semiconductor and Storage
In magazzino: 0
Prezzo unitario : € 3,11000
Scheda tecnica

Simile


Toshiba Semiconductor and Storage
In magazzino: 0
Prezzo unitario : € 0,00000
Scheda tecnica

Simile


Toshiba Semiconductor and Storage
In magazzino: 0
Prezzo unitario : € 0,00000
Scheda tecnica

Simile


Toshiba Semiconductor and Storage
In magazzino: 0
Prezzo unitario : € 2,06000
Scheda tecnica

Simile


STMicroelectronics
In magazzino: 0
Prezzo unitario : € 1,67000
Scheda tecnica

Simile


Vishay Siliconix
In magazzino: 0
Prezzo unitario : € 1,71880
Scheda tecnica

Simile


STMicroelectronics
In magazzino: 0
Prezzo unitario : € 1,37000
Scheda tecnica

Simile


STMicroelectronics
In magazzino: 0
Prezzo unitario : € 0,80000
Scheda tecnica

Simile


STMicroelectronics
In magazzino: 0
Prezzo unitario : € 1,44000
Scheda tecnica

Simile


STMicroelectronics
In magazzino: 772
Prezzo unitario : € 3,10000
Scheda tecnica

Simile


STMicroelectronics
In magazzino: 0
Prezzo unitario : € 1,96000
Scheda tecnica
Canale N 600 V 8 A (Tc) 50W (Tc) Foro passante TO-220FM
Questa immagine puo' variare dall'originale. Per i particolari consulti la scheda tecnica.

R6008FNX

Codice DigiKey
846-R6008FNX-ND
Produttore
Codice produttore
R6008FNX
Descrizione
MOSFET N-CH 600V 8A TO-220FM
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 600 V 8 A (Tc) 50W (Tc) Foro passante TO-220FM
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD
R6008FNX Modelli
Attributi del prodotto
Filtra prodotti simili
Mostra attributi vuoti
Categoria
Vgs(th) max a Id
4V a 1mA
Produttore
Carica del gate (Qg) max a Vgs
20 nC @ 10 V
Confezionamento
Sfuso
Vgs (max)
±30V
Stato componente
Non per nuovi progetti
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
580 pF @ 25 V
Tipo FET
Dissipazione di potenza (max)
50W (Tc)
Tecnologia
Temperatura di funzionamento
150°C (TJ)
Tensione drain/source (Vdss)
600 V
Tipo di montaggio
Foro passante
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
Contenitore del fornitore
TO-220FM
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
10V
Contenitore/involucro
RDSon (max) a Id, Vgs
950mohm a 4A, 10V
Codice componente base
Classificazioni ambientali e di esportazione
Domande e risposte sui prodotti
Altre risorse
Sostituti (14)
Codice componenteProduttore Quantità disponibileCodice DigiKey Prezzo unitario Tipo di articolo sostitutivo
R6009JNXC7GRohm Semiconductor0R6009JNXC7G-ND€ 1,38000Simile
STF10N65K3STMicroelectronics0497-12562-5-ND€ 2,07000Simile
STP9NK65ZFPSTMicroelectronics62497-12621-5-ND€ 2,03000Simile
TK10A80E,S4XToshiba Semiconductor and Storage0TK10A80ES4X-ND€ 3,11000Simile
TK5A60W,S4VXToshiba Semiconductor and Storage0TK5A60WS4VX-ND€ 0,00000Simile
Disponibile su ordinazione
Questo prodotto non è disponibile in magazzino presso DigiKey. I tempi di consegna indicati riguarderanno la spedizione dal produttore a DigiKey. Una volta ricevuto il prodotto, DigiKey provvederà alla spedizione al cliente per evadere gli ordini aperti.
Non consigliato per un nuovo progetto; possibilmente soggetto a quantità minima. Visualizza Articoli sostitutivi.
Tutti i prezzi sono in EUR
Sfuso
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
500€ 1,62688€ 813,44
Contenitore standard del produttore
Prezzo unitario IVA esclusa:€ 1,62688
Prezzo unitario IVA inclusa:€ 1,98479