Name: HT8KC5TB1
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: 846-HT8KC5TB1TR-ND
Price: 1.6104 EUR
Availability: OutOfStock

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HT8KC5TB1
Codice DigiKey	846-HT8KC5TB1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 846-HT8KC5TB1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 846-HT8KC5TB1DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Rohm Semiconductor
Codice produttore	HT8KC5TB1
Descrizione	MOSFET 2N-CH 60V 3.5A 8HSMT
Tempi di consegna standard del produttore	18 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	MOSFET - Array 60V 3,5A (Ta), 10A (Tc) 2W (Ta), 13W (Tc) A montaggio superficiale 8-HSMT (3,2x3)
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET Array FET, MOSFET	Vgs(th) max a Id 2,5V a 1mA
Produttore Rohm Semiconductor	Carica del gate (Qg) max a Vgs 3,1nC a 10V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 135pF a 30V
Stato componente Attivo	Potenza - Max 2W (Ta), 13W (Tc)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Temperatura di funzionamento 150°C (TJ)
Configurazione 2 canali N (doppio)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 60V	Contenitore/involucro 8-PowerVDFN
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 3,5A (Ta), 10A (Tc)	Contenitore del fornitore 8-HSMT (3,2x3)
RDSon (max) a Id, Vgs 90mohm a 3,5A, 10V