Name: NVMFS6H852NLT1G
Brand: onsemi
SKU: 488-NVMFS6H852NLT1GTR-ND
Price: 1.3908 EUR
Availability: OutOfStock

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NVMFS6H852NLT1G
Codice DigiKey	488-NVMFS6H852NLT1GTR-ND - Nastrato in bobina (TR) 488-NVMFS6H852NLT1GCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 488-NVMFS6H852NLT1GDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	onsemi
Codice produttore	NVMFS6H852NLT1G
Descrizione	MOSFET N-CH 80V 11A/42A 5DFN
Tempi di consegna standard del produttore	20 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 80 V 11 A (Ta), 42 A (Tc) 3,6W (Ta), 54W (Tc) A montaggio superficiale 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Carica del gate (Qg) max a Vgs 17 nC @ 10 V
Produttore onsemi	Vgs (max) ±20V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 906 pF @ 40 V
Stato componente Attivo	Dissipazione di potenza (max) 3,6W (Ta), 54W (Tc)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Grado Automobilistico
Tensione drain/source (Vdss) 80 V	Qualifica AEC-Q101
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 11 A (Ta), 42 A (Tc)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 4,5V, 10V	Contenitore del fornitore 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
RDSon (max) a Id, Vgs 13,1mohm a 10A, 10V	Contenitore/involucro 8-PowerTDFN, 5 conduttori
Vgs(th) max a Id 2V a 45µA	Codice componente base NVMFS6

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Codice componente	Produttore	Quantità disponibile	Codice DigiKey	Prezzo unitario	Tipo di articolo sostitutivo
RS6N120BHTB1	Rohm Semiconductor	0	846-RS6N120BHTB1CT-ND	€ 2,89000	Simile

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Prezzo unitario IVA inclusa:	€ 1,39080

NVMFS6H852NLT1G