Name: NTMFS10N7D2C
Brand: onsemi
SKU: 488-NTMFS10N7D2CTR-ND
Price: 4.331 EUR
Availability: OutOfStock

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NTMFS10N7D2C
Codice DigiKey	488-NTMFS10N7D2CTR-ND - Nastrato in bobina (TR) 488-NTMFS10N7D2CCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 488-NTMFS10N7D2CDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	onsemi
Codice produttore	NTMFS10N7D2C
Descrizione	MOSFET N-CH 100V 78A 8PQFN
Tempi di consegna standard del produttore	21 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 100 V 78 A (Tc) 83W (Tc) A montaggio superficiale 8-PQFN (5x6), Power56
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 4V a 150µA
Produttore onsemi	Carica del gate (Qg) max a Vgs 37 nC @ 10 V
Serie PowerTrench®	Vgs (max) ±20V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 2635 pF @ 50 V
Stato componente Attivo	Dissipazione di potenza (max) 83W (Tc)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 100 V	Contenitore del fornitore 8-PQFN (5x6), Power56
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 78 A (Tc)	Contenitore/involucro 8-PowerTDFN
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 6V, 10V	Codice componente base NTMFS10
RDSon (max) a Id, Vgs 7,2mohm a 28A, 10V

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Sostituti (2)

Codice componente	Produttore	Quantità disponibile	Codice DigiKey	Prezzo unitario	Tipo di articolo sostitutivo
BSC057N08NS3GATMA1	Infineon Technologies	0	BSC057N08NS3GATMA1CT-ND	€ 2,08000	Simile
RBE067N10R1SZN6#HB0	Renesas Electronics Corporation	0	559-RBE067N10R1SZN6#HB0TR-ND	€ 0,43885	Simile

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Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

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Nastrato in bobina (TR)

Quantità	Prezzo unitario	Prezzo tot
3 000	€ 1,31853	€ 3 955,59

Contenitore standard del produttore

Prezzo unitario IVA esclusa:	€ 3,55000
Prezzo unitario IVA inclusa:	€ 4,33100

NTMFS10N7D2C