IRFM120ATF onsemi | FET, MOSFET singoli

IRFM120ATF è obsoleto e non è più in produzione.

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IRFM120ATF
Codice DigiKey	IRFM120ATFTR-ND - Nastrato in bobina (TR) IRFM120ATFCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) IRFM120ATFDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	onsemi
Codice produttore	IRFM120ATF
Descrizione	MOSFET N-CH 100V 2.3A SOT223-4
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 100 V 2,3 A (Ta) 2,4W (Ta) A montaggio superficiale SOT-223-4
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 4V a 250µA
Produttore onsemi	Carica del gate (Qg) max a Vgs 22 nC @ 10 V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Vgs (max) ±20V
Stato componente Obsoleto	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 480 pF @ 25 V
Tipo FET Canale N	Dissipazione di potenza (max) 2,4W (Ta)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tensione drain/source (Vdss) 100 V	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 2,3 A (Ta)	Contenitore del fornitore SOT-223-4
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V	Contenitore/involucro TO-261-4, TO-261AA
RDSon (max) a Id, Vgs 200mohm a 1,15A, 10V	Codice componente base IRFM120