FQD2N80TM onsemi | FET, MOSFET singoli

FQD2N80TM è obsoleto e non è più in produzione.

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STMicroelectronics

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Prezzo unitario : € 3,01000

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FQD2N80TM
Codice DigiKey	FQD2N80TMTR-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore	onsemi
Codice produttore	FQD2N80TM
Descrizione	MOSFET N-CH 800V 1.8A DPAK
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 800 V 1,8 A (Tc) 2,5W (Ta), 50W (Tc) A montaggio superficiale TO-252AA
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 5V a 250µA
Produttore onsemi	Carica del gate (Qg) max a Vgs 15 nC @ 10 V
Serie QFET®	Vgs (max) ±30V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR)	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 550 pF @ 25 V
Stato componente Obsoleto	Dissipazione di potenza (max) 2,5W (Ta), 50W (Tc)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 800 V	Contenitore del fornitore TO-252AA
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 1,8 A (Tc)	Contenitore/involucro TO-252-3, DPAK (2 conduttori+linguetta), SC-63
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V	Codice componente base FQD2N80
RDSon (max) a Id, Vgs 6,3ohm a 900mA, 10V

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Codice componente	Produttore	Quantità disponibile	Codice DigiKey	Prezzo unitario	Tipo di articolo sostitutivo
STD7NM80	STMicroelectronics	0	497-8807-1-ND	€ 3,01000	Simile

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