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FQD1N80TM | |
|---|---|
Codice DigiKey | FQD1N80TMTR-ND - Nastrato in bobina (TR) FQD1N80TMCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) FQD1N80TMDKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | FQD1N80TM |
Descrizione | MOSFET N-CH 800V 1A DPAK |
Tempi di consegna standard del produttore | 8 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 800 V 1 A (Tc) 2,5W (Ta), 45W (Tc) A montaggio superficiale TO-252AA |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Categoria | Vgs(th) max a Id 5V a 250µA |
Produttore | Carica del gate (Qg) max a Vgs 7.2 nC @ 10 V |
Serie | Vgs (max) ±30V |
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 195 pF @ 25 V |
Stato componente Attivo | Dissipazione di potenza (max) 2,5W (Ta), 45W (Tc) |
Tipo FET | Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tecnologia | Tipo di montaggio A montaggio superficiale |
Tensione drain/source (Vdss) 800 V | Contenitore del fornitore TO-252AA |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | Contenitore/involucro |
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V | Codice componente base |
RDSon (max) a Id, Vgs 20ohm a 500mA, 10V |
| Codice componente | Produttore | Quantità disponibile | Codice DigiKey | Prezzo unitario | Tipo di articolo sostitutivo |
|---|---|---|---|---|---|
| FQD2N90TM | onsemi | 0 | FQD2N90TMCT-ND | € 1,68000 | Consigliato dal produttore |
| STD1NK80ZT4 | STMicroelectronics | 0 | 497-4751-1-ND | € 1,10000 | Simile |
| STD7NM80 | STMicroelectronics | 0 | 497-8807-1-ND | € 3,01000 | Simile |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | € 1,10000 | € 1,10 |
| 10 | € 0,71400 | € 7,14 |
| 100 | € 0,49860 | € 49,86 |
| 500 | € 0,43868 | € 219,34 |
| 1 000 | € 0,40015 | € 400,15 |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 2 500 | € 0,35906 | € 897,65 |
| 5 000 | € 0,35492 | € 1 774,60 |
| 7 500 | € 0,31657 | € 2 374,28 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | € 1,10000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | € 1,34200 |



