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Questa immagine puo' variare dall'originale. Per i particolari consulti la scheda tecnica.
Canale N 60 V 50 A (Tc) 3,75W (Ta), 120W (Tc) A montaggio superficiale TO-263 (D2PAK)
TO-263

FQB50N06TM

Codice DigiKey
FQB50N06TMFSTR-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore
Codice produttore
FQB50N06TM
Descrizione
MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 60 V 50 A (Tc) 3,75W (Ta), 120W (Tc) A montaggio superficiale TO-263 (D2PAK)
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Attributi del prodotto
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Categoria
Vgs(th) max a Id
4V a 250µA
Produttore
Carica del gate (Qg) max a Vgs
41 nC @ 10 V
Serie
Vgs (max)
±25V
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
1540 pF @ 25 V
Stato componente
Obsoleto
Dissipazione di potenza (max)
3,75W (Ta), 120W (Tc)
Tipo FET
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tecnologia
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
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22mohm a 25A, 10V
Classificazioni ambientali e di esportazione
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Altre risorse
Sostituti (21)
Codice componenteProduttore Quantità disponibileCodice DigiKey Prezzo unitario Tipo di articolo sostitutivo
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