FQB33N10LTM onsemi | FET, MOSFET singoli

FQB33N10LTM è obsoleto e non è più in produzione.

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FQB33N10LTM
Codice DigiKey	FQB33N10LTMTR-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore	onsemi
Codice produttore	FQB33N10LTM
Descrizione	MOSFET N-CH 100V 33A D2PAK
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 100 V 33 A (Tc) 3,75W (Ta), 127W (Tc) A montaggio superficiale TO-263 (D2PAK)
Scheda tecnica	Scheda tecnica

Attributi del prodotto

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 2V a 250µA
Produttore onsemi	Carica del gate (Qg) max a Vgs 40 nC @ 5 V
Serie QFET®	Vgs (max) ±20V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR)	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 1630 pF @ 25 V
Stato componente Obsoleto	Dissipazione di potenza (max) 3,75W (Ta), 127W (Tc)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 100 V	Contenitore del fornitore TO-263 (D2PAK)
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 33 A (Tc)	Contenitore/involucro TO-263-3, D2PAK (2 conduttori+linguetta), TO-263AB
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 5V, 10V	Codice componente base FQB33N10
RDSon (max) a Id, Vgs 52mohm a 16,5A, 10V