Name: FDS3572
Brand: onsemi
SKU: FDS3572TR-ND
Price: 2.4644 EUR
Availability: OutOfStock

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FDS3572
Codice DigiKey	FDS3572TR-ND - Nastrato in bobina (TR) FDS3572CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) FDS3572DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	onsemi
Codice produttore	FDS3572
Descrizione	MOSFET N-CH 80V 8.9A 8SOIC
Tempi di consegna standard del produttore	17 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 80 V 8,9 A (Ta) 2,5W (Ta) A montaggio superficiale 8-SOIC
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 4V a 250µA
Produttore onsemi	Carica del gate (Qg) max a Vgs 41 nC @ 10 V
Serie PowerTrench®	Vgs (max) ±20V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 1990 pF @ 25 V
Stato componente Attivo	Dissipazione di potenza (max) 2,5W (Ta)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 80 V	Contenitore del fornitore 8-SOIC
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 8,9 A (Ta)	Contenitore/involucro 8-SOIC (larghezza 0,154", 3,90mm)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 6V, 10V	Codice componente base FDS35
RDSon (max) a Id, Vgs 16mohm a 8,9A, 10V

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Sostituti (2)

Codice componente	Produttore	Quantità disponibile	Codice DigiKey	Prezzo unitario	Tipo di articolo sostitutivo
IRF7473TRPBF	Infineon Technologies	0	IRF7473PBFCT-ND	€ 1,82000	Simile
RS6N120BHTB1	Rohm Semiconductor	0	846-RS6N120BHTB1CT-ND	€ 2,89000	Simile

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Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

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Nastrato in bobina (TR)

Quantità	Prezzo unitario	Prezzo tot
2 500	€ 0,58944	€ 1 473,60
5 000	€ 0,56597	€ 2 829,85

Contenitore standard del produttore

Prezzo unitario IVA esclusa:	€ 2,02000
Prezzo unitario IVA inclusa:	€ 2,46440

FDS3572