Name: FDMS86322
Brand: onsemi
SKU: FDMS86322TR-ND
Price: 2.501 EUR
Availability: OutOfStock

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FDMS86322
Codice DigiKey	FDMS86322TR-ND - Nastrato in bobina (TR) FDMS86322CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) FDMS86322DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	onsemi
Codice produttore	FDMS86322
Descrizione	MOSFET N-CH 80V 13A/60A 8PQFN
Tempi di consegna standard del produttore	34 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 80 V 13 A (Ta), 60 A (Tc) 2,5W (Ta), 104W (Tc) A montaggio superficiale 8-PQFN (5x6)
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	FDMS86322 Modelli

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 4V a 250µA
Produttore onsemi	Carica del gate (Qg) max a Vgs 55 nC @ 10 V
Serie PowerTrench®	Vgs (max) ±20V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 3000 pF @ 50 V
Stato componente Attivo	Dissipazione di potenza (max) 2,5W (Ta), 104W (Tc)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 80 V	Contenitore del fornitore 8-PQFN (5x6)
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 13 A (Ta), 60 A (Tc)	Contenitore/involucro 8-PowerTDFN
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 6V, 10V	Codice componente base FDMS86
RDSon (max) a Id, Vgs 7,65mohm a 13A, 10V

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Sostituti (2)

Codice componente	Produttore	Quantità disponibile	Codice DigiKey	Prezzo unitario	Tipo di articolo sostitutivo
BSC060N10NS3GATMA1	Infineon Technologies	0	BSC060N10NS3GATMA1CT-ND	€ 2,19000	Simile
CSD19531Q5AT	Texas Instruments	0	296-37749-1-ND	€ 1,91000	Simile

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Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di € 5,50.

Nastrato in bobina (TR)

Quantità	Prezzo unitario	Prezzo tot
3 000	€ 0,98451	€ 2 953,53

Contenitore standard del produttore

Prezzo unitario IVA esclusa:	€ 2,05000
Prezzo unitario IVA inclusa:	€ 2,50100

FDMS86322