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FDMS86105 | |
|---|---|
Codice DigiKey | FDMS86105TR-ND - Nastrato in bobina (TR) FDMS86105CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) FDMS86105DKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | FDMS86105 |
Descrizione | MOSFET N-CH 100V 6A/26A 8PQFN |
Tempi di consegna standard del produttore | 16 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 100 V 6 A (Ta), 26 A (Tc) 2,5W (Ta), 48W (Tc) A montaggio superficiale 8-PQFN (5x6) |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | FDMS86105 Modelli |
Categoria | Vgs(th) max a Id 4V a 250µA |
Produttore | Carica del gate (Qg) max a Vgs 11 nC @ 10 V |
Serie | Vgs (max) ±20V |
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 645 pF @ 50 V |
Stato componente Attivo | Dissipazione di potenza (max) 2,5W (Ta), 48W (Tc) |
Tipo FET | Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tecnologia | Tipo di montaggio A montaggio superficiale |
Tensione drain/source (Vdss) 100 V | Contenitore del fornitore 8-PQFN (5x6) |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | Contenitore/involucro |
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 6V, 10V | Codice componente base |
RDSon (max) a Id, Vgs 34mohm a 6A, 10V |
| Codice componente | Produttore | Quantità disponibile | Codice DigiKey | Prezzo unitario | Tipo di articolo sostitutivo |
|---|---|---|---|---|---|
| RBE067N10R1SZN6#HB0 | Renesas Electronics Corporation | 0 | 559-RBE067N10R1SZN6#HB0TR-ND | € 0,43885 | Simile |
| STL8N10LF3 | STMicroelectronics | 0 | 497-13652-1-ND | € 2,20000 | Simile |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | € 1,58000 | € 1,58 |
| 10 | € 1,12800 | € 11,28 |
| 100 | € 0,92140 | € 92,14 |
| 500 | € 0,79646 | € 398,23 |
| 1 000 | € 0,73417 | € 734,17 |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 3 000 | € 0,73135 | € 2 194,05 |
| 6 000 | € 0,65257 | € 3 915,42 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | € 1,58000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | € 1,92760 |













