FDMS7660AS onsemi | FET, MOSFET singoli

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FDMS7660AS
Codice DigiKey	FDMS7660ASTR-ND - Nastrato in bobina (TR) FDMS7660ASCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) FDMS7660ASDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	onsemi
Codice produttore	FDMS7660AS
Descrizione	MOSFET N-CH 30V 26A/42A 8PQFN
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 30 V 26 A (Ta), 42 A (Tc) 2,5W (Ta), 83W (Tc) A montaggio superficiale 8-PQFN (5x6)
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 3V a 1mA
Produttore onsemi	Carica del gate (Qg) max a Vgs 90 nC @ 10 V
Serie PowerTrench®, SyncFET™	Vgs (max) ±20V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 6120 pF @ 15 V
Stato componente Obsoleto	Dissipazione di potenza (max) 2,5W (Ta), 83W (Tc)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 30 V	Contenitore del fornitore 8-PQFN (5x6)
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 26 A (Ta), 42 A (Tc)	Contenitore/involucro 8-PowerTDFN
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 4,5V, 10V	Codice componente base FDMS7660
RDSon (max) a Id, Vgs 2,4mohm a 25A, 10V

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Sostituti (6)

Codice componente	Produttore	Quantità disponibile	Codice DigiKey	Prezzo unitario	Tipo di articolo sostitutivo
CSD17576Q5B	Texas Instruments	1 519	296-43635-1-ND	€ 1,35000	Simile
CSD17576Q5BT	Texas Instruments	590 750	296-CSD17576Q5BTCT-ND	€ 1,57000	Simile
RS1E280BNTB	Rohm Semiconductor	0	RS1E280BNTBCT-ND	€ 1,02000	Simile
RS1E280GNTB	Rohm Semiconductor	0	846-RS1E280GNCT-ND	€ 0,85000	Simile
FDMS0352S	Rochester Electronics, LLC	18 000	2156-FDMS0352S-488-ND	€ 0,64159	Equivalente parametrico

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Prezzo unitario IVA esclusa:	€ 1,95000
Prezzo unitario IVA inclusa:	€ 2,37900

FDMS7660AS