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FDMS6673BZ-NC | |
|---|---|
Codice DigiKey | 488-FDMS6673BZ-NCTR-ND - Nastrato in bobina (TR) |
Produttore | |
Codice produttore | FDMS6673BZ-NC |
Descrizione | MOSFET P-CH 30V 15.2A/28A 8PQFN |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale P 30 V 2,5W (Ta), 73W (Tc) A montaggio superficiale 8-PQFN (5x6) |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
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Categoria | RDSon (max) a Id, Vgs 6,8mohm a 15,2A, 10V |
Produttore | Vgs(th) max a Id 3V a 250µA |
Serie | Carica del gate (Qg) max a Vgs 130 nC @ 10 V |
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) | Vgs (max) ±25V |
Stato componente Attivo | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 5915 pF @ 15 V |
Tipo FET | Dissipazione di potenza (max) 2,5W (Ta), 73W (Tc) |
Tecnologia | Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C |
Tensione drain/source (Vdss) 30 V | Tipo di montaggio A montaggio superficiale |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | Contenitore del fornitore 8-PQFN (5x6) |
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 4,5V, 10V | Contenitore/involucro |
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