Name: FDMS10C4D2N
Brand: onsemi
SKU: FDMS10C4D2NOSTR-ND
Price: 3.2208 EUR
Availability: OutOfStock

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FDMS10C4D2N
Codice DigiKey	FDMS10C4D2NOSTR-ND - Nastrato in bobina (TR) FDMS10C4D2NOSCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) FDMS10C4D2NOSDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	onsemi
Codice produttore	FDMS10C4D2N
Descrizione	MOSFET N-CH 100V 17A 8PQFN
Tempi di consegna standard del produttore	22 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 100 V 17 A (Tc) 125W (Tc) A montaggio superficiale 8-PQFN (5x6)
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 4V a 250µA
Produttore onsemi	Carica del gate (Qg) max a Vgs 65 nC @ 10 V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Vgs (max) ±20V
Stato componente Attivo	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 4500 pF @ 50 V
Tipo FET Canale N	Dissipazione di potenza (max) 125W (Tc)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tensione drain/source (Vdss) 100 V	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 17 A (Tc)	Contenitore del fornitore 8-PQFN (5x6)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 6V, 10V	Contenitore/involucro 8-PowerTDFN
RDSon (max) a Id, Vgs 4,2mohm a 44A, 10V	Codice componente base FDMS10

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Sostituti (2)

Codice componente	Produttore	Quantità disponibile	Codice DigiKey	Prezzo unitario	Tipo di articolo sostitutivo
AONS66916	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	0	785-AONS66916CT-ND	€ 3,76000	Simile
RBE037N10R1SZN6#HB0	Renesas Electronics Corporation	0	559-RBE037N10R1SZN6#HB0TR-ND	€ 0,62569	Simile

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Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di € 5,50.

Nastrato in bobina (TR)

Quantità	Prezzo unitario	Prezzo tot
3 000	€ 1,08005	€ 3 240,15

Contenitore standard del produttore

Prezzo unitario IVA esclusa:	€ 2,64000
Prezzo unitario IVA inclusa:	€ 3,22080

FDMS10C4D2N