Name: FDC6310P
Brand: onsemi
SKU: FDC6310PFSTR-ND
Price: 1.0248 EUR
Availability: OutOfStock

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FDC6310P
Codice DigiKey	FDC6310PFSTR-ND - Nastrato in bobina (TR) FDC6310PFSCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) FDC6310PFSDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	onsemi
Codice produttore	FDC6310P
Descrizione	MOSFET 2P-CH 20V 2.2A SSOT6
Tempi di consegna standard del produttore	15 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	MOSFET - Array 20V 2,2A 700mW A montaggio superficiale SuperSOT™-6
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET Array FET, MOSFET	RDSon (max) a Id, Vgs 125mohm a 2,2A, 4,5V
Produttore onsemi	Vgs(th) max a Id 1,5V a 250µA
Serie PowerTrench®	Carica del gate (Qg) max a Vgs 5,2nC a 4,5V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 337pF a 10V
Stato componente Attivo	Potenza - Max 700mW
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Configurazione 2 canali P (doppio)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Funzione FET Porta a livello logico	Contenitore/involucro SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Tensione drain/source (Vdss) 20V	Contenitore del fornitore SuperSOT™-6
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 2,2A	Codice componente base FDC6310

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Codice componente	Produttore	Quantità disponibile	Codice DigiKey	Prezzo unitario	Tipo di articolo sostitutivo
NTHD4102PT1G	onsemi	0	NTHD4102PT1GOSCT-ND	€ 1,32000	Simile
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Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di € 5,50.

Nastrato in bobina (TR)

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Prezzo unitario IVA esclusa:	€ 0,84000
Prezzo unitario IVA inclusa:	€ 1,02480

FDC6310P